在内存供应紧张和价格飙升给行业压力的情况下，据ETNer:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾???烊所?炎m豩=2(?r蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?%坖D覑眤丬鲩M(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫s和Ner:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾???烊所?炎m豩=2(?r蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?%坖D覑眤丬鲩M(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫s 1报道，三星开发出了一种NAND闪存技术，能够降低90%以上的功耗，预计将提升AI数据中心、移动设备及广泛应用的能效。

据报道，11月27日，SAIT（前三星先进技术研究院）宣布将在《自然》杂志上发表其关于新型NAND闪存结构的研究，以显著提升能源效率。据ETNer:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾???烊所?炎m豩=2(?r蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?%坖D覑眤丬鲩M(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫s报道，三星首次在全球范围内发现了将氧化物半导体与铁电结构结合的关键机制，从而将功耗降低了多达96%。

正如报告所述，传统NAND闪存存储数据为注射电子进入每个细胞。因此，为了提升容量，制造商会堆叠更多这些电池层。但由于NAND单元以长串行链连接，较高的堆栈需要更高的电压来传递信号——这会增加读写功耗，报告指出。

据报道，三星的突破在于使用氧化物半导体。尽管氧化物半导体通常难以精确控制阈值电压，但它们自然表现出极低的漏电流。报告补充说，团队证明，当这一特性与铁电极化控制结合时，成为显著降低NAND电池串所需电压的关键机制。

Ner:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾???烊所?炎m豩=2(?r蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?%坖D覑眤丬鲩M(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫s1指出，一旦实现商业化，这项技术将带来从超大规模AI数据中心到移动和边缘AI的显著节能。据报道，三星表示，这一进展为其未来低功耗、高容量SSD的领先地位奠定了道路。

三星在战略调整中重塑SAIT公司

值得注意的是，FN新闻披露三星已彻底改革其顶级研究部门SAIT（前称三星先进技术研究院），将其转型为新的“实验室型”结构，作为半导体（DS）部门更广泛改革的一部分。DS部门负责人副报告指出，董事长钟延玄最近将更多研究人员重新分配到业务单元，将SAIT缩减为一个更紧凑、更灵活的组织，围绕专注实验室展开。

此次改组还带来了一个头条新闻：据《FN新闻》报道，哈佛教授朴洪根被任命为SAIT新任主任，而此前并入公司AI中心的人工智能研究部门也将重新纳入SAIT，以加强前瞻性的人工智能研究。